SKM300GB12E4 (SEMIKRON)

F2423696
нет данных
 
БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной NPN, 422 А, 1.85 В, 1.2 кВ, Module

Документация
Technical Data Sheet EN

БрендSEMIKRON НаименованиеSKM300GB12E4 Цена заШтука Страна производстваSlovak Republic СкладFarnell

БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной NPN, 422 А, 1.85 В, 1.2 кВ, Module

The SKM300GB12E4 is a SEMITRANS® 3 IGBT Module for use with AC inverter drives and UPS. It features insulated copper base plate using DBC technology (Direct Bonded Copper) and increased power cycling capability.
  • Half-bridge switch
  • IGBT4 = 4th generation medium fast Trench IGBT (Infineon)
  • CAL4 = Soft switching 4th generation CAL-diode
  • Integrated gate resistor
  • For higher switching frequencies up to 12kHz
  • UL recognized, file number E63532

Области применения

Управление Питанием

DC Ток Коллектора:
422А
Количество Выводов:
-
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
125°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):
1.85В
Полярность Транзистора:
Двойной NPN
Рассеиваемая Мощность:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
Module
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (15-Jun-2015)
RoHS статус:
Да
Популярные товары