Мск: 8 (495) 281-51-61
СПб: 8 (812) 320-88-25
Контакты
Перезвонить
Каталог продукции
0 Ваша Корзина

БТИЗ Массивы и Модули

Популярные выше
50 На страницу
SKM100GB12T4 (SEMIKRON)
F2423682
БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 160 А, 1.8 В, 1.2 кВ, Module

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

DC Ток Коллектора:160А
Количество Выводов:7вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:175°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):1.8В
Полярность Транзистора:Двойной N Канал
Рассеиваемая Мощность:-
Стиль Корпуса Транзистора:Module
8 431,46 Р (включая НДС 20%)
37 шт.
Отложить Сравнить
SKM100GB125DN (SEMIKRON)
F2423681
БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 100 А, 3.3 В, 1.2 кВ, Module

Документация
Technical Data Sheet EN

DC Ток Коллектора:100А
Количество Выводов:7вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):3.3В
Полярность Транзистора:Двойной N Канал
Рассеиваемая Мощность:-
Стиль Корпуса Транзистора:Module
16 895,98 Р (включая НДС 20%)
5 шт.
Отложить Сравнить
SKM150GAL12T4 (SEMIKRON)
F2423685
БТИЗ массив и модульный транзистор, NPN, 232 А, 1.8 В, 1.2 кВ, Module

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

DC Ток Коллектора:232А
Количество Выводов:-
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):1.8В
Полярность Транзистора:NPN
Рассеиваемая Мощность:-
Стиль Корпуса Транзистора:Module
10 376,33 Р (включая НДС 20%)
12 шт.
Отложить Сравнить
SKM200GB125D (SEMIKRON)
F2423692
БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 200 А, 3.3 В, 1.2 кВ, Module

Документация
Technical Data Sheet EN

DC Ток Коллектора:200А
Количество Выводов:7вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):3.3В
Полярность Транзистора:Двойной N Канал
Рассеиваемая Мощность:-
Стиль Корпуса Транзистора:Module
16 069,54 Р (включая НДС 20%)
46 шт.
Отложить Сравнить
FSBB15CH60C (ON SEMICONDUCTOR)
F1700678
БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 15 А, 2 В, 55 Вт, 600 В, SPM27-CC

Документация
Technical Data Sheet EN
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

DC Ток Коллектора:15А
Количество Выводов:27вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:600В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):2В
Полярность Транзистора:N Канал
Рассеиваемая Мощность:55Вт
Стиль Корпуса Транзистора:SPM27-CC
1 648,28 Р (включая НДС 20%)
91 шт.
Отложить Сравнить
SKM200GB12V (SEMIKRON)
F2423695
БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 311 А, 1.75 В, 1.2 кВ, Module

Документация
Technical Data Sheet EN

DC Ток Коллектора:311А
Количество Выводов:7вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:175°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):1.75В
Полярность Транзистора:Двойной N Канал
Рассеиваемая Мощность:-
Стиль Корпуса Транзистора:Module
16 895,98 Р (включая НДС 20%)
5 шт.
Отложить Сравнить
FF300R12KS4HOSA1 (INFINEON)
F2726131
БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 370 А, 3.2 В, 1.95 кВт, 1.2 кВ, Module

Документация
Technical Data Sheet EN

DC Ток Коллектора:370А
Количество Выводов:-
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):3.2В
Полярность Транзистора:N Канал
Рассеиваемая Мощность:1.95кВт
Стиль Корпуса Транзистора:Module
12 212,85 Р (включая НДС 20%)
112 шт.
Отложить Сравнить
SKM300GB12T4 (SEMIKRON)
F2423697
БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 422 А, 1.85 В, 1.2 кВ, Module

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

DC Ток Коллектора:422А
Количество Выводов:7вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:175°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):1.85В
Полярность Транзистора:Двойной N Канал
Рассеиваемая Мощность:-
Стиль Корпуса Транзистора:Module
19 834,41 Р (включая НДС 20%)
16 шт.
Отложить Сравнить
SKM200GB12T4 (SEMIKRON)
F2423694
БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 313 А, 1.8 В, 1.2 кВ, Module

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

DC Ток Коллектора:313А
Количество Выводов:7вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:175°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):1.8В
Полярность Транзистора:Двойной N Канал
Рассеиваемая Мощность:-
Стиль Корпуса Транзистора:Module
15 885,89 Р (включая НДС 20%)
8 шт.
Отложить Сравнить
SKM150GB12T4 (SEMIKRON)
F2423687
БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 232 А, 1.8 В, 1.2 кВ, Module

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

DC Ток Коллектора:232А
Количество Выводов:7вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:175°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):1.8В
Полярность Транзистора:Двойной N Канал
Рассеиваемая Мощность:-
Стиль Корпуса Транзистора:Module
8 863,04 Р (включая НДС 20%)
18 шт.
Отложить Сравнить
SKM75GB176D (SEMIKRON)
F2423707
БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 80 А, 2 В, 1.7 кВ, Module

Документация
Technical Data Sheet EN

DC Ток Коллектора:80А
Количество Выводов:7вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:1.7кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):2В
Полярность Транзистора:Двойной N Канал
Рассеиваемая Мощность:-
Стиль Корпуса Транзистора:Module
2 327,79 Р (включая НДС 20%)
1 шт.
Отложить Сравнить
CM600HA-24A (MITSUBISHI ELECTRIC)
F2366756
IGBT MODULE, 1200V, 600A, IGBTMOD

Документация
Technical Data Sheet EN

DC Ток Коллектора:600А
Количество Выводов:4вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):1.2кВ
Полярность Транзистора:N Channel
Рассеиваемая Мощность:3.67кВт
Стиль Корпуса Транзистора:IGBTMOD
23 896,88 Р (включая НДС 20%)
113 шт.
Отложить Сравнить
VS-CPV363M4FPBF (VISHAY)
F2101469
БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 11 А, 2 В, 36 Вт, 600 В, SIP

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

DC Ток Коллектора:11А
Количество Выводов:13вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:600В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):2В
Полярность Транзистора:N Канал
Рассеиваемая Мощность:36Вт
Стиль Корпуса Транзистора:SIP
6 056,09 Р (включая НДС 20%)
30 шт.
Отложить Сравнить
SKM400GB12V (SEMIKRON)
F2423702
БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 612 А, 1.75 В, 1.2 кВ, Module

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

DC Ток Коллектора:612А
Количество Выводов:7вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:175°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):1.75В
Полярность Транзистора:Двойной N Канал
Рассеиваемая Мощность:-
Стиль Корпуса Транзистора:Module
25 160,31 Р (включая НДС 20%)
12 шт.
Отложить Сравнить
SKM75GB12V (SEMIKRON)
F2423706
БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 114 А, 1.85 В, 1.2 кВ, Module

Документация
Technical Data Sheet EN

DC Ток Коллектора:114А
Количество Выводов:7вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:175°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):1.85В
Полярность Транзистора:Двойной N Канал
Рассеиваемая Мощность:-
Стиль Корпуса Транзистора:Module
6 032,97 Р (включая НДС 20%)
208 шт.
Отложить Сравнить
VLA517-01R (FUJI ELECTRIC)
F1689601
Драйвер затвора с гальванической развязкой для БТИЗ или МОП-транзисторов, 4А, SIP-15

Документация
Technical Data Sheet EN

DC Ток Коллектора:4А
Количество Выводов:15вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:60°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:-
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):-
Полярность Транзистора:N Канал
Рассеиваемая Мощность:-
Стиль Корпуса Транзистора:SIP
741,04 Р (включая НДС 20%)
3479 шт.
Отложить Сравнить
FP50R12KE3BOSA1 (INFINEON)
F2726169
БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 75 А, 1.7 В, 280 Вт, 1.2 кВ, Module

Документация
Technical Data Sheet EN
Application Note EN
Product Change Notice EN

DC Ток Коллектора:75А
Количество Выводов:-
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):1.7В
Полярность Транзистора:N Канал
Рассеиваемая Мощность:280Вт
Стиль Корпуса Транзистора:Module
9 458,07 Р (включая НДС 20%)
23 шт.
Отложить Сравнить
2MBI100VA-120-50 (FUJI ELECTRIC)
F2422540
БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 100 А, 1.75 В, 555 Вт, 1.2 кВ, Module

Документация
Technical Data Sheet EN

DC Ток Коллектора:100А
Количество Выводов:7вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):1.75В
Полярность Транзистора:N Канал
Рассеиваемая Мощность:555Вт
Стиль Корпуса Транзистора:Module
4 632,62 Р (включая НДС 20%)
34 шт.
Отложить Сравнить
7MBR50VB-120-50 (FUJI ELECTRIC)
F2422548
БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 50 А, 1.85 В, 280 Вт, 1.2 кВ, Module

Документация
Technical Data Sheet EN

DC Ток Коллектора:50А
Количество Выводов:24вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):1.85В
Полярность Транзистора:N Канал
Рассеиваемая Мощность:280Вт
Стиль Корпуса Транзистора:Module
13 590,24 Р (включая НДС 20%)
19 шт.
Отложить Сравнить
SKM50GB12T4 (SEMIKRON)
F2301737
БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной NPN, 81 А, 1.85 В, 1.2 кВ, SEMITRANS 2

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

DC Ток Коллектора:81А
Количество Выводов:7вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:175°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):1.85В
Полярность Транзистора:Двойной NPN
Рассеиваемая Мощность:-
Стиль Корпуса Транзистора:SEMITRANS 2
5 589,45 Р (включая НДС 20%)
19 шт.
Отложить Сравнить
SKM145GB066D (SEMIKRON)
F2423684
БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 195 А, 1.45 В, 600 В, Module

Документация
Technical Data Sheet EN

DC Ток Коллектора:195А
Количество Выводов:7вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:175°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:600В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):1.45В
Полярность Транзистора:Двойной N Канал
Рассеиваемая Мощность:-
Стиль Корпуса Транзистора:Module
7 225,78 Р (включая НДС 20%)
12 шт.
Отложить Сравнить
FP15R12W1T4BOMA1 (INFINEON)
F2726159
БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 28 А, 1.85 В, 130 Вт, 1.2 кВ, Module

Документация
Technical Data Sheet EN
Application Note EN
Product Change Notice EN

DC Ток Коллектора:28А
Количество Выводов:-
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):1.85В
Полярность Транзистора:N Канал
Рассеиваемая Мощность:130Вт
Стиль Корпуса Транзистора:Module
2 770,39 Р (включая НДС 20%)
19 шт.
Отложить Сравнить
FF1200R12IE5BPSA1 (INFINEON)
F2839506
БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 1.2 кА, 1.7 В, 1.2 кВ, Module

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

DC Ток Коллектора:1.2кА
Количество Выводов:-
Максимальная Рабочая Температура:175°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):1.7В
Полярность Транзистора:N Канал
Рассеиваемая Мощность:-
Стиль Корпуса Транзистора:Module
72 726,16 Р (включая НДС 20%)
1 шт.
Отложить Сравнить
2MBI150U4A-120-50 (FUJI ELECTRIC)
F1689581
БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 200 А, 2.3 В, 735 Вт, 1.2 кВ, Module

Документация
Technical Data Sheet EN

DC Ток Коллектора:200А
Количество Выводов:7вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):2.3В
Полярность Транзистора:N Канал
Рассеиваемая Мощность:735Вт
Стиль Корпуса Транзистора:Module
9 366,25 Р (включая НДС 20%)
23 шт.
Отложить Сравнить
FP25R12KE3BOSA1 (INFINEON)
F2709891
БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 25 А, 1.7 В, 155 Вт, 1.2 кВ, Module

Документация
Technical Data Sheet EN
Application Note EN
Product Change Notice EN
  Simulation Model EN

DC Ток Коллектора:25А
Количество Выводов:-
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):1.7В
Полярность Транзистора:N Канал
Рассеиваемая Мощность:155Вт
Стиль Корпуса Транзистора:Module
5 965,93 Р (включая НДС 20%)
12 шт.
Отложить Сравнить
SKM400GB125D (SEMIKRON)
F2423700
БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 400 А, 3.3 В, 1.2 кВ, Module

Документация
Technical Data Sheet EN

DC Ток Коллектора:400А
Количество Выводов:7вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):3.3В
Полярность Транзистора:Двойной N Канал
Рассеиваемая Мощность:-
Стиль Корпуса Транзистора:Module
31 312,65 Р (включая НДС 20%)
32 шт.
Отложить Сравнить
FP15R12KT3BOSA1 (INFINEON)
F2726158
БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 25 А, 1.7 В, 105 Вт, 1.2 кВ, Module

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

DC Ток Коллектора:25А
Количество Выводов:-
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):1.7В
Полярность Транзистора:N Канал
Рассеиваемая Мощность:105Вт
Стиль Корпуса Транзистора:Module
4 668,43 Р (включая НДС 20%)
17 шт.
Отложить Сравнить
FF200R06KE3HOSA1 (INFINEON)
F2839509
БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 260 А, 1.45 В, 680 Вт, 600 В, Module

Документация
Technical Data Sheet EN

DC Ток Коллектора:260А
Количество Выводов:-
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:600В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):1.45В
Полярность Транзистора:N Канал
Рассеиваемая Мощность:680Вт
Стиль Корпуса Транзистора:Module
6 975,10 Р (включая НДС 20%)
19 шт.
Отложить Сравнить
CM200DU-24H (MITSUBISHI ELECTRIC)
F1226624
IGBT MODULE, 1.2KV, 200A, MODULE

Документация
Technical Data Sheet EN

DC Ток Коллектора:200А
Количество Выводов:7вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):1.2кВ
Полярность Транзистора:N Channel
Рассеиваемая Мощность:1.13кВт
Стиль Корпуса Транзистора:Module
18 890,15 Р (включая НДС 20%)
1 шт.
Отложить Сравнить
SKM150GB12T4G (SEMIKRON)
F2423688
БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 223 А, 1.85 В, 1.2 кВ, Module

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

DC Ток Коллектора:223А
Количество Выводов:7вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:175°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):1.85В
Полярность Транзистора:Двойной N Канал
Рассеиваемая Мощность:-
Стиль Корпуса Транзистора:Module
16 804,15 Р (включая НДС 20%)
8 шт.
Отложить Сравнить
F4100R12KS4BOSA1 (INFINEON)
F2726109
БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 130 А, 3.2 В, 660 Вт, 1.2 кВ, Module

Документация
Technical Data Sheet EN

DC Ток Коллектора:130А
Количество Выводов:-
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):3.2В
Полярность Транзистора:N Канал
Рассеиваемая Мощность:660Вт
Стиль Корпуса Транзистора:Module
13 406,59 Р (включая НДС 20%)
5 шт.
Отложить Сравнить
PS21A79 (MITSUBISHI ELECTRIC)
F1639902
IGBT MODULE, 600V, 50A, DIP

Документация
Technical Data Sheet EN

DC Ток Коллектора:50А
Количество Выводов:42вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:100°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:600В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):600В
Полярность Транзистора:-
Рассеиваемая Мощность:142Вт
Стиль Корпуса Транзистора:DIP
8 274,29 Р (включая НДС 20%)
51 шт.
Отложить Сравнить
MII75-12A3 (IXYS SEMICONDUCTOR)
F2782990
БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 90 А, 2.2 В, 370 Вт, 1.2 кВ, Module

Документация
Technical Data Sheet EN

DC Ток Коллектора:90А
Количество Выводов:11вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):2.2В
Полярность Транзистора:N Канал
Рассеиваемая Мощность:370Вт
Стиль Корпуса Транзистора:Module
4 303,88 Р (включая НДС 20%)
2 шт.
Отложить Сравнить
SKM300GB12V (SEMIKRON)
F2423699
БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 420 А, 1.85 В, 1.2 кВ, Module

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

DC Ток Коллектора:420А
Количество Выводов:7вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:175°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):1.85В
Полярность Транзистора:Двойной N Канал
Рассеиваемая Мощность:-
Стиль Корпуса Транзистора:Module
19 650,76 Р (включая НДС 20%)
4 шт.
Отложить Сравнить
SKM300GBD12T4 (SEMIKRON)
F2749607
БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной NPN, 422 А, 1.85 В, 1.2 кВ, Module

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

DC Ток Коллектора:422А
Количество Выводов:-
Максимальная Рабочая Температура:125°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):1.85В
Полярность Транзистора:Двойной NPN
Рассеиваемая Мощность:-
Стиль Корпуса Транзистора:Module
21 854,58 Р (включая НДС 20%)
17 шт.
Отложить Сравнить
IXGN200N60B3 (IXYS SEMICONDUCTOR)
F2784063
БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 300 А, 1.35 В, 830 Вт, 600 В, SOT-227B

Документация
Technical Data Sheet EN

DC Ток Коллектора:300А
Количество Выводов:4вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:600В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):1.35В
Полярность Транзистора:N Канал
Рассеиваемая Мощность:830Вт
Стиль Корпуса Транзистора:SOT-227B
2 914,56 Р (включая НДС 20%)
25 шт.
Отложить Сравнить
FP25R12W2T4 (INFINEON)
F1833566
БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 25 А, 1.85 В, 175 Вт, 1.2 кВ, Module

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

DC Ток Коллектора:25А
Количество Выводов:23вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):1.85В
Полярность Транзистора:N Канал
Рассеиваемая Мощность:175Вт
Стиль Корпуса Транзистора:Module
4 125,74 Р (включая НДС 20%)
12 шт.
Отложить Сравнить
FF300R17KE4HOSA1 (INFINEON)
F2377255
БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной NPN, 440 А, 1.95 В, 1.8 кВт, 1.7 кВ, Module

Документация
Technical Data Sheet EN

DC Ток Коллектора:440А
Количество Выводов:7вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:1.7кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):1.95В
Полярность Транзистора:Двойной NPN
Рассеиваемая Мощность:1.8кВт
Стиль Корпуса Транзистора:Module
13 222,94 Р (включая НДС 20%)
5 шт.
Отложить Сравнить
F3L75R07W2E3B11BOMA1 (INFINEON)
F2709963
БТИЗ массив и модульный транзистор, EasyPACK 2B, N Канал, 75 А, 1.45 В, 250 Вт, 650 В, Module

Документация
Technical Data Sheet EN
  Simulation Model EN
Application Note EN

DC Ток Коллектора:75А
Количество Выводов:-
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:650В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):1.45В
Полярность Транзистора:N Канал
Рассеиваемая Мощность:250Вт
Стиль Корпуса Транзистора:Module
3 738,23 Р (включая НДС 20%)
16 шт.
Отложить Сравнить
FP15R12W1T4_B3 (INFINEON)
F1833569
БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 15 А, 1.85 В, 130 Вт, 1.2 кВ, Module

Документация
Technical Data Sheet EN
Application Note EN
Product Change Notice EN
  Simulation Model EN

DC Ток Коллектора:15А
Количество Выводов:20вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):1.85В
Полярность Транзистора:N Канал
Рассеиваемая Мощность:130Вт
Стиль Корпуса Транзистора:Module
2 306,67 Р (включая НДС 20%)
18 шт.
Отложить Сравнить
SKM195GB066D (SEMIKRON)
F2423691
БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 265 А, 1.45 В, 600 В, Module

Документация
Technical Data Sheet EN

DC Ток Коллектора:265А
Количество Выводов:7вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:175°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:600В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):1.45В
Полярность Транзистора:Двойной N Канал
Рассеиваемая Мощность:-
Стиль Корпуса Транзистора:Module
9 096,28 Р (включая НДС 20%)
8 шт.
Отложить Сравнить
SKM100GAL12T4 (SEMIKRON)
F2423679
БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 160 А, 1.8 В, 1.2 кВ, Module

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

DC Ток Коллектора:160А
Количество Выводов:7вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:175°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):1.8В
Полярность Транзистора:N Канал
Рассеиваемая Мощность:-
Стиль Корпуса Транзистора:Module
7 017,34 Р (включая НДС 20%)
2 шт.
Отложить Сравнить
FZ600R12KE4HOSA1 (INFINEON)
F2709970
БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 600 А, 1.75 В, 3 кВт, 1.2 кВ, Module

Документация
Technical Data Sheet EN
Application Note EN
  Simulation Model EN

DC Ток Коллектора:600А
Количество Выводов:-
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):1.75В
Полярность Транзистора:N Канал
Рассеиваемая Мощность:3кВт
Стиль Корпуса Транзистора:Module
9 917,20 Р (включая НДС 20%)
30 шт.
Отложить Сравнить
FP35R12KT4B15BOSA1 (INFINEON)
F2709964
БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 35 А, 1.85 В, 210 Вт, 1.2 кВ, Module

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

DC Ток Коллектора:35А
Количество Выводов:-
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):1.85В
Полярность Транзистора:N Канал
Рассеиваемая Мощность:210Вт
Стиль Корпуса Транзистора:Module
6 809,81 Р (включая НДС 20%)
12 шт.
Отложить Сравнить
FP100R12KT4BOSA1 (INFINEON)
F2726155
БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 100 А, 1.75 В, 515 Вт, 1.2 кВ, Module

Документация
Technical Data Sheet EN
Application Note EN
Product Change Notice EN

DC Ток Коллектора:100А
Количество Выводов:-
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):1.75В
Полярность Транзистора:N Канал
Рассеиваемая Мощность:515Вт
Стиль Корпуса Транзистора:Module
14 508,50 Р (включая НДС 20%)
5 шт.
Отложить Сравнить
F475R06W1E3BOMA1 (INFINEON)
F2726112
БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 100 А, 1.45 В, 275 Вт, 600 В, Module

Документация
Technical Data Sheet EN

DC Ток Коллектора:100А
Количество Выводов:-
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:600В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):1.45В
Полярность Транзистора:N Канал
Рассеиваемая Мощность:275Вт
Стиль Корпуса Транзистора:Module
3 027,50 Р (включая НДС 20%)
312 шт.
Отложить Сравнить
FS50R12KT4B11BOSA1 (INFINEON)
F2781263
БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 50 А, 1.85 В, 280 Вт, 1.2 кВ, Module

Документация
Technical Data Sheet EN
Application Note EN

DC Ток Коллектора:50А
Количество Выводов:-
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):1.85В
Полярность Транзистора:N Канал
Рассеиваемая Мощность:280Вт
Стиль Корпуса Транзистора:Module
5 614,24 Р (включая НДС 20%)
8 шт.
Отложить Сравнить
FS200R12KT4RB11BOSA1 (INFINEON)
F2781255
БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 280 А, 1.75 В, 1 кВт, 1.2 кВ, Module

Документация
Technical Data Sheet EN
  Simulation Model EN
Application Note EN
Product Change Notice EN

DC Ток Коллектора:280А
Количество Выводов:-
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):1.75В
Полярность Транзистора:N Канал
Рассеиваемая Мощность:1кВт
Стиль Корпуса Транзистора:Module
16 987,80 Р (включая НДС 20%)
10 шт.
Отложить Сравнить
2MBI100TA-060-50 (FUJI ELECTRIC)
F1689571
БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 100 А, 2.4 В, 310 Вт, 600 В, Module

Документация
Technical Data Sheet EN

DC Ток Коллектора:100А
Количество Выводов:7вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:600В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):2.4В
Полярность Транзистора:N Канал
Рассеиваемая Мощность:310Вт
Стиль Корпуса Транзистора:Module
3 572,95 Р (включая НДС 20%)
613 шт.
Отложить Сравнить
FP30R06W1E3BOMA1 (INFINEON)
F2726162
БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 37 А, 1.55 В, 115 Вт, 600 В, Module

Документация
Technical Data Sheet EN
Application Note EN

DC Ток Коллектора:37А
Количество Выводов:-
Максимальная Рабочая Температура:150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:600В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):1.55В
Полярность Транзистора:N Канал
Рассеиваемая Мощность:115Вт
Стиль Корпуса Транзистора:Module
2 849,36 Р (включая НДС 20%)
25 шт.
Отложить Сравнить
 Назад
1 2 3 4 5 6 7
Вперед 
Фильтры товаров
Доступность
Бренд
    Еще
Упаковка
RoHS статус
Линейка Продукции
    Еще
Сбросить Закрыть