SKM200GB125D (SEMIKRON)
БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 200 А, 3.3 В, 1.2 кВ, Module
The SKM200GB125D is a SEMITRANS® 3 ultrafast IGBT Module for use with inductive heating and resonant inverters up to 100kHz. It features isolated copper base plate using DCB (Direct Copper Bonding) technology and short tail current with low temperature dependence.
- Half-bridge switch
- N channel, homogeneous Si
- Low inductance case
- High short-circuit capability, self limiting to 6 x IC
- Fast and soft inverse CAL diodes
- Large clearance (13mm) and creepage distance (20mm)
Области применения
Управление Питанием, ОВКВ, Техническое Обслуживание и Ремонт
DC Ток Коллектора:
200А
Количество Выводов:
7вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):
3.3В
Полярность Транзистора:
Двойной N Канал
Рассеиваемая Мощность:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
Module
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (15-Jun-2015)
RoHS статус:
Да
