SKM150GB12T4G (SEMIKRON)

F2423688
нет данных
 
БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 223 А, 1.85 В, 1.2 кВ, Module

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

БрендSEMIKRON НаименованиеSKM150GB12T4G Цена заШтука Страна производстваSlovak Republic СкладFarnell

БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 223 А, 1.85 В, 1.2 кВ, Module

The SKM150GB12T4G is a SEMITRANS® 3 fast IGBT Module for use with AC inverter drives and electronic welders at fsw up to 20kHz. It features insulated copper base plate using DBC technology (Direct Bonded Copper) and increased power cycling capability.
  • Half-bridge switch
  • IGBT4 = 4th generation fast Trench IGBT (Infineon)
  • CAL4 = Soft switching 4th generation CAL-diode
  • Integrated gate resistor
  • UL recognized, file number E63532

Области применения

Управление Питанием, Техническое Обслуживание и Ремонт

DC Ток Коллектора:
223А
Количество Выводов:
7вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
175°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):
1.85В
Полярность Транзистора:
Двойной N Канал
Рассеиваемая Мощность:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
Module
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (15-Jun-2015)
RoHS статус:
Да