MJD31CT4 (STMICROELECTRONICS)
Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 15 Вт, 3 А, 10 hFE
The MJD31CT4 is a NPN low voltage Power Transistor manufactured using Planar technology with "Base Island" layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.
- Surface-mount power package
- PNP complementary to the type is MJD32C
Области применения
Промышленное, Управление Питанием, Авто
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
DC Ток Коллектора:
3А
DC Усиление Тока hFE:
10hFE
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
100В
Полярность Транзистора:
NPN
Рассеиваемая Мощность:
15Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-252
Частота Перехода ft:
-
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (17-Dec-2015)
RoHS статус:
Да
