MJD117T4 (STMICROELECTRONICS)
Биполярный транзистор Дарлингтона, PNP, -100В, 20Вт, -2А, коэффициент усиления по току 200
The MJD117T4 is a PNP complementary power Darlington Transistor manufactured using Planar technology with "Base Island" layout. It has monolithic Darlington configuration with integrated anti-parallel collector-emitter diode.
- Good hFE linearity
- High fT frequency
- Complementary pair - MJD112
Области применения
Промышленное, Управление Питанием
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
DC Ток Коллектора:
-2А
DC Усиление Тока hFE:
200hFE
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
-100В
Полярность Транзистора:
PNP
Рассеиваемая Мощность:
20Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-252
Частота Перехода ft:
-
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (17-Dec-2015)
RoHS статус:
Да
