QSD123 (ON SEMICONDUCTOR)

F2453252
нет данных
 
Фототранзистор, 880 нм, 24 °, 100 мВт, 2 вывод(-ов), T-1 3/4 (5mm)

Документация
Technical Data Sheet EN

БрендON SEMICONDUCTOR НаименованиеQSD123 Цена заШтука Страна производстваChina СкладFarnell

Фототранзистор, 880 нм, 24 °, 100 мВт, 2 вывод(-ов), T-1 3/4 (5mm)

The QSD123 is a NPN Silicon Infrared Phototransistor is suitable for QED12X/QED22X/QED23X notched emitter. It has 24° narrow reception angle and a daylight filter. Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be operable above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended. In addition, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability.
  • High sensitivity

Области применения

Светодиодное Освещение

Количество Выводов:
2вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
T-1 3/4 (5mm)
Типичное Значение Длины Волны:
880нм
Угол Обзора:
24°
Энергопотребление:
100мВт
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да