IPD60R2K0C6BTMA1 (INFINEON)
МОП-транзистор, N Канал, 2.4 А, 600 В, 1.8 Ом, 10 В, 3 В
The IPD60R2K0C6 is a 600V CoolMOS™ C6 N-channel Power MOSFET offers easy control of switching behaviour. This CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFET, designed according to the super-junction(SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The CoolMOS™ C6 combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The device provides all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter and cooler.
- Extremely low losses due to very low figure of merit (RDS (ON) x Qg and EOSS)
- Very high commutation ruggedness
- Easy to use
- Better light load efficiency
- Outstanding reliability with proven CoolMOS™ quality combined with high body diode ruggedness
- Better performance in comparison to previous CoolMOS™ generations
- More efficient, more compact, lighter and cooler
- Improved power density
- Improved reliability
- General purpose part can be used in both soft and hard switching topologies
Области применения
Промышленное, Управление Питанием, Альтернативаня Энергия, Потребительская Электроника, Связь и Сеть, Авто, Освещение
Примечания
Для параллельного использования МОП-транзистора рекомендуется использовать ферритовый сердечник на затворе или выходной двухтранзисторный каскад.
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Измерения Rds(on):
10В
Напряжение Истока-стока Vds:
600В
Непрерывный Ток Стока:
2.4А
Полярность Транзистора:
N Канал
Пороговое Напряжение Vgs:
3В
Рассеиваемая Мощность:
22.3Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):
1.8Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-252
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
