MMBFJ175LT1G (ON SEMICONDUCTOR)
ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, 7 мА, 60 мА, 6 В
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Количество Выводов:
3 Вывода
Линейка Продукции:
-
Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off):
6В
Макс. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss max):
60мА
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Мин. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss min):
7мА
Напряжение Пробоя Vbr:
30В
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
SOT-23
Тип Транзистора:
JFET
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да