SST39SF040-70-4I-WHE (MICROCHIP)
Флеш память, NOR, Параллельная NOR, 4 Мбит, 512К x 8бит, TSOP, 32 вывод(-ов)
The SST39SF040-70-4I-WHE is a 4MB CMOS multi-purpose Flash Memory manufactured with SSTs proprietary, high performance CMOS SuperFlash technology. The split-gate cell design and thick oxide tunneling injector attain better reliability and manufacturability compared with alternate approaches. The device writes with a 4.5 to 5.5V power supply. Featuring high performance byte-program, the device provides a maximum byte-program time of 20µsec. This device uses toggle bit or data# polling to indicate the completion of program operation. To protect against inadvertent write, it has on-chip hardware and software data protection schemes. Designed, manufactured and tested for a wide spectrum of applications, this device is offered with a guaranteed typical endurance of 100000 cycles. Data retention is rated at greater than 100 years.
- Superior reliability
- Low power consumption
- Sector-erase capability - uniform 4Kbyte word sectors
- Fast read access time - 70ns
- Latched address and data
- Automatic write timing - internal VPP generation
- Fast erase and byte-program
- End-of-write detection
- TTL I/O compatibility
Области применения
Компьютеры и Периферия, Промышленное, Связь и Сеть, Потребительская Электроника
Время Доступа:
70нс
Количество Выводов:
32вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти:
512К x 8бит
Линейка Продукции:
5V Parallel NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура:
85°C
Максимальное Напряжение Питания:
5.5В
Минимальная Рабочая Температура:
-40°C
Минимальное Напряжение Питания:
4.5В
Размер Памяти:
4Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:
Да
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:
TSOP
Тактовая Частота:
-
Тип Flash Памяти:
Параллельная NOR
Тип Интерфейса ИС:
-
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да