FDC3612 (ON SEMICONDUCTOR)
МОП-транзистор, N Канал, 2.6 А, 100 В, 0.125 Ом, 10 В, 2.3 В
The FDC3612 is a N-channel MOSFET designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS (ON) and fast switching speed.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
- Fast switching speed
- 14nC Typical low gate charge
Области применения
Управление Питанием, Промышленное
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Количество Выводов:
6вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Измерения Rds(on):
10В
Напряжение Истока-стока Vds:
100В
Непрерывный Ток Стока:
2.6А
Полярность Транзистора:
N Канал
Пороговое Напряжение Vgs:
2.3В
Рассеиваемая Мощность:
1.6Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):
0.125Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
SuperSOT
Тип упаковки:
Разрезная лента
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да