MMBFJ310LT1G (ON SEMICONDUCTOR)
ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -25 В, 24 мА, 60 мА
The MMBFJ310LT1G is a N-channel JFET designed for high frequency amplifiers and oscillators. The device offers interchangeable drain and source, space saving surface-mount package. The Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life.
- 25VDC Drain-source voltage
- 25VDC Gate-source voltage
- 10mA Gate current
Области применения
Промышленное, Управление Питанием
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Количество Выводов:
3 Вывода
Линейка Продукции:
-
Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off):
-6.5В
Макс. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss max):
60мА
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Мин. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss min):
24мА
Напряжение Пробоя Vbr:
-25В
Стандарты Автомобильной Промышленности:
AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора:
SOT-23
Тип Транзистора:
JFET
Тип упаковки:
Разрезная лента
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да