HGTD1N120BNS9A (ON SEMICONDUCTOR)
БТИЗ транзистор, 5.3 А, 2.5 В, 60 Вт, 1.2 кВ, TO-252AA, 3 вывод(-ов)
The HGTD1N120BNS9A is a N-channel Non-punch Through (NPT) IGBT ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as UPS and solar inverter. It is new member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. It combines the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low ON-state conduction loss of a bipolar transistor.
- Short-circuit rating
- Avalanche rated
- 2.5V @ IC = 1A Low saturation voltage
- 258ns Fall time @ TJ = 150°C
- 298W Total power dissipation @ TC = 25°C
Области применения
Управление Питанием, Привод Двигателя и Управление
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
DC Ток Коллектора:
5.3А
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):
2.5В
Рассеиваемая Мощность:
60Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-252AA
Тип упаковки:
Разрезная лента
SVHC (Особо Опасные Вещества):
Lead (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да