23LCV1024-I/SN (MICROCHIP)

F2291919
нет данных
 
SRAM, 1 Мбит, 128К x 8бит, 2.5В до 5.5В, SOIC, 8 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN
Miscellaneous EN
Product Change Notice EN
CAD CadSoft_EAGLE EN

БрендMICROCHIP Наименование23LCV1024-I/SN Цена заШтука Страна производстваUnited States СкладFarnell

SRAM, 1 Мбит, 128К x 8бит, 2.5В до 5.5В, SOIC, 8 вывод(-ов)

The 23LCV1024-I/SN is a 1Mb SPI Serial SRAM with battery backup and SDI interface. The memory is accessed via a simple serial peripheral interface (SPI) compatible serial bus. The bus signals required are a clock input (SCK) plus separate data in (SI) and data out (SO) lines. Access to the device is controlled through a chip select (CS) input. Additionally, SDI (serial dual interface) is supported if application needs faster data rates. The SRAM can be battery backed via the Vbat pin essentially making the SRAM non-volatile. The device also supports unlimited read and write cycles to the array.
  • SPI-compatible bus interface - 20MHz clock rate, SPI/SDI mode
  • Low-power CMOS technology
  • 3mA at 3.6V, 20MHz Read current
  • 4µA at +85°C Maximum standby current
  • Unlimited read and write cycles
  • Zero write time
  • 32-byte page
  • Battery-backed SRAM support via Vbat Pin, automatic switchover to Vbat
  • Sequential mode reads and writes
  • High reliability

Области применения

Связь и Сеть

Время Доступа:
-
Диапазон Напряжения Питания:
2.5В до 5.5В
Количество Выводов:
8вывод(-ов)
Конфигурация Памяти SRAM:
128К x 8бит
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
85°C
Минимальная Рабочая Температура:
-40°C
Размер Памяти:
1Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:
Да
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:
SOIC
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да