8(812) 320-88-25 8(495) 281-51-61
Каталог товаров

S29GL256P90TFIR10 (CYPRESS SEMICONDUCTOR)

F2363311
нет данных
 
Отложить Сравнить
Флеш память, NOR, Параллельная NOR, 256 Мбит, Параллельный, TSOP, 56 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

БрендCYPRESS SEMICONDUCTOR НаименованиеS29GL256P90TFIR10 Цена заШтука Страна производстваThailand СкладFarnell

Флеш память, NOR, Параллельная NOR, 256 Мбит, Параллельный, TSOP, 56 вывод(-ов)

The S29GL256P90TFIR10 is a 256MB page mode Flash Memory fabricated on 90nm MirrorBit® Process technology. This device offers a fast page access time of 90ns with a corresponding random access time as fast as 90ns. It features a write buffer that allows a maximum of 32 words/64 bytes to be programmed in one operation, resulting in faster effective programming time than standard programming algorithms. This makes the device ideal for todays eMBedded applications that require higher density, better performance and lower power consumption.
  • Highest address sector protected
  • Versatile I/O™ control
  • Secured silicon sector region - Can be programmed and locked at the factory or by the customer
  • 100000 Erase cycles per sector typical
  • 20 Years data retention typical
  • Suspend and resume commands for program and erase operations
  • Write operation status bits indicate program and erase operation completion
  • Unlock bypass program command - Reduces programming time
  • Support for CFI
  • Persistent and password methods of advanced sector protection
  • WP#/ACC input - Protects first or last sector regardless of sector protection settings
  • Accelerates programming time for greater throughput during system production
  • Hardware reset input resets device
  • Ready/busy# output detects program or erase cycle completion

Области применения

Компьютеры и Периферия, Промышленное, Связь и Сеть, Потребительская Электроника

Время Доступа:
90нс
Количество Выводов:
56вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти:
-
Линейка Продукции:
3V Parallel NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура:
85°C
Максимальное Напряжение Питания:
3.6В
Минимальная Рабочая Температура:
-40°C
Минимальное Напряжение Питания:
3В
Размер Памяти:
256Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:
Да
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:
TSOP
Тактовая Частота:
-
Тип Flash Памяти:
Параллельная NOR
Тип Интерфейса ИС:
Параллельный
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (17-Dec-2015)
RoHS статус:
Да
Популярные товары