S29GL128S90TFI010. (CYPRESS SEMICONDUCTOR)
Флеш память, NOR, Параллельная NOR, 128 Мбит, 8М x 16бит, Параллельный, TSOP, 56 вывод(-ов)
The S29GL128S90TFI010 is a 128MB MirrorBit® Eclipse™ Flash Non-Volatile Memory fabricated on 65nm process technology. This device offers a fast page access time as fast as 90ns with a corresponding random access time as fast as 90ns. They feature a write buffer that allows a maximum of 256 words/512 bytes to be programmed in one operation, resulting in faster effective programming time than standard programming algorithms. This makes the device ideal for todays eMBedded applications that require higher density, better performance and lower power consumption.
- Highest address sector protected
- Versatile I/O™ - Wide I/O voltage range of 1.65V to VCC
- Asynchronous 32-byte page read
- Suspend and resume commands for program and erase operations
- Status register, data polling and ready/busy pin methods to determine device status
- Advanced sector protection - Volatile and non-volatile protection methods for each sector
- Common flash interface (CFI) parameter table
- 100000 Erase cycles for any sector typical
- 20 Years data retention typical
Области применения
Компьютеры и Периферия, Промышленное, Связь и Сеть, Потребительская Электроника
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Время Доступа:
90нс
Количество Выводов:
56вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти:
8М x 16бит
Линейка Продукции:
3V Parallel NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура:
85°C
Максимальное Напряжение Питания:
3.6В
Минимальная Рабочая Температура:
-40°C
Минимальное Напряжение Питания:
2.7В
Размер Памяти:
128Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:
Да
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:
TSOP
Тактовая Частота:
-
Тип Flash Памяти:
Параллельная NOR
Тип Интерфейса ИС:
Параллельный
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (17-Dec-2015)
RoHS статус:
Да
