S29GL032N90FFI020 (CYPRESS SEMICONDUCTOR)
Флеш память, Параллельная NOR, 32 Мбит, 4М x 8бит, Параллельный, BGA, 64 вывод(-ов)
The S29GL032N90FFI020 is a 32Mbit 3V page mode MirrorBit flash in 64 pin fortified BGA package. This device offers a maximum page access time of 25ns with a maximum CE# access time of 90ns. It is organized as 2097152words or 4194304bytes. Device can be programmed either in the host system or in standard EPROM programmers. It provides pin-out and software compatibility for single power supply flash and superior inadvertent write protection.
- VCC = VIO = 2.7V to 3.6V, uniform sector, WP#/ACC = VIL protects lowest addressed sector
- 8-word/16-byte page read buffer
- 100000 erase cycles per sector typical and 20year data retention typical
- Parallel NOR part family, parallel interface
- Operating temperature range from -40°C to +85°C
- Secured silicon sector region
- Flexible sector architecture (sixty-four 32Kword (64KB) sectors), advanced sector protection
- Enhanced VersatileI/O control
- Compatibility with JEDEC standards
- Low power consumption
Области применения
Встроенные Конструкции и Разработка
Время Доступа:
90нс
Количество Выводов:
64вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти:
4М x 8бит
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
85°C
Максимальное Напряжение Питания:
3.6В
Минимальная Рабочая Температура:
-40°C
Минимальное Напряжение Питания:
2.7В
Размер Памяти:
32Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:
Да
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:
BGA
Тактовая Частота:
-
Тип Flash Памяти:
Параллельная NOR
Тип Интерфейса ИС:
Параллельный
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (17-Dec-2015)
RoHS статус:
Да
