H27U1G8F2BTR-BC (HYNIX SEMICONDUCTOR)

F1712424
нет данных
 
Флеш память, NAND, SLC NAND, 1 Гбит, 128М x 8бит, TSOP, 48 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

БрендHYNIX SEMICONDUCTOR НаименованиеH27U1G8F2BTR-BC Страна производстваSouth Korea СкладFarnell

Флеш память, NAND, SLC NAND, 1 Гбит, 128М x 8бит, TSOP, 48 вывод(-ов)

H27U1G8F2BTR-BC является NAND Flash памятью 128МБ x 8 бит с дополнительной емкостью 4МБ x 8 бит. Устройство предлагается в блоке питания 3.3В VCC и с интерфейсом x8 I/O. Его элементы NAND обеспечивают самое эффективное решение на рынке для твердотельного хранения данных. Память разделена на блоки, которые могут быть стерты независимо друг от друга, так можно сохранить нужные данные, во время стирания старых данных. Устройство содержит 1024 блока, которые состоят из 64 страниц. Процесс программы позволяет записывать страницу из 2112 байт за 200мкс и процесс стирания занимает 2.0мс на блок 128Кб. Данные на странице могут считываться за 25нс/байт. Выводы I/O служат в качестве портов для адресации, ввода/вывода данных и ввода команд. Данный интерфейс позволяет уменьшить количество выводов и легкий переход к различным плотностям без изменения размеров.
  • NAND интерфейс - x8 ширина шины, мультиплексирование адреса/данных, совместимость по выводам для всех плотностей
  • Массивы ячеек памяти (2К + 64) байт x 64 страницы x 1024 блока
  • Страница (2К + 64 запасная)
  • Блок (128К + 4К запасная)
  • Случайный доступ 25мкс (макс.)
  • Последовательный доступ 25нс (мин.)
  • Типичное время программирования блока 200мкс
  • Типичное время стирания блока 2мс

Области применения

Компьютеры и Периферия

Предупреждения

За исключением диапазона рабочей температуры, любые превышения «абсолютных максимальных значений» из таблицы может привести к необратимому повреждению устройства.
Время Доступа:
45нс
Количество Выводов:
48вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти:
128М x 8бит
Линейка Продукции:
3V SLC NAND Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура:
70°C
Максимальное Напряжение Питания:
3.6В
Минимальная Рабочая Температура:
0°C
Минимальное Напряжение Питания:
2.7В
Размер Памяти:
1Гбит
Соответствует Фталатам RoHS:
Будет Указано Позже
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:
TSOP
Тактовая Частота:
-
Тип Flash Памяти:
SLC NAND
Тип Интерфейса ИС:
-
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (15-Jan-2018)
RoHS статус:
Да
Популярные товары