IRS2110SPBF (INFINEON)
Двойной драйвер МОП-транзистора, высокой стороны и низкой стороны, 10В-20В, 2А, 120нс, SOIC-16
The IRS2110SPBF is a high voltage high speed power MOSFET and IGBT high and low Side Driver with independent high-side and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. Propagation delays are matched to simplify use in high frequency applications. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 500 or 600V.
- Floating channel designed for bootstrap operation
- Tolerant to negative transient voltage (dV/dt immune)
- Under-voltage lockout for both channels
- Logic and power ground ±5V offset
- CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down
- Cycle-by-cycle edge-triggered shutdown logic
- Matched propagation delay for both channels
- Outputs in phase with inputs
Области применения
Управление Питанием
Задержка Выхода:
120нс
Задержка по Входу:
130нс
Количество Выводов:
16вывод(-ов)
Конфигурация Привода:
Высокая Сторона и Низкая Сторона
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
125°C
Максимальное Напряжение Питания:
20В
Минимальная Рабочая Температура:
-40°C
Минимальное Напряжение Питания:
10В
Пиковый Выходной Ток:
2А
Соответствует Фталатам RoHS:
Да
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Привода:
SOIC
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
