STP11NM60ND (STMICROELECTRONICS)
МОП-транзистор, N Канал, 10 А, 600 В, 0.37 Ом, 10 В, 4 В
The STP11NM60ND is a FDmesh™ II N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. This FDmesh™ II Power MOSFET belongs to the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the company's strip layout and associates all advantages of reduced ON-resistance and fast switching with an intrinsic fast recovery body diode. It is therefore strongly recommended for bridge topologies, in particular ZVS phase-shift converters.
- The worldwide best RDS (ON) area amongst the fast recovery diode device
- Low gate input resistance
Области применения
Промышленное, Управление Питанием
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Измерения Rds(on):
10В
Напряжение Истока-стока Vds:
600В
Непрерывный Ток Стока:
10А
Полярность Транзистора:
N Канал
Пороговое Напряжение Vgs:
4В
Рассеиваемая Мощность:
90Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):
0.37Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-220
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (17-Dec-2015)
RoHS статус:
Да
