STB13NM60N (STMICROELECTRONICS)
МОП-транзистор, N Канал, 11 А, 600 В, 0.28 Ом, 10 В, 3 В
The STB13NM60N is a MDmesh™ II N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company's strip layout to yield one of the world's lowest ON-resistance. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
- Low gate input resistance
- 100% Avalanche tested
Области применения
Промышленное, Управление Питанием
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Измерения Rds(on):
10В
Напряжение Истока-стока Vds:
600В
Непрерывный Ток Стока:
11А
Полярность Транзистора:
N Канал
Пороговое Напряжение Vgs:
3В
Рассеиваемая Мощность:
90Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):
0.28Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-263
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (17-Dec-2015)
RoHS статус:
Да
