IXFH50N60P3 (IXYS SEMICONDUCTOR)
МОП-транзистор, N Канал, 50 А, 600 В, 0.16 Ом, 10 В, 5 В
The IXFH50N60P3 is a 600V N-channel Enhancement Mode Polar3™ Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™) and low RDS (on). The IXYS most popular power MOSFET (HiPerFET™) is for both hard switching and resonant mode applications. This MOSFET offers low gate charge and excellent ruggedness with a fast intrinsic diode.
- Avalanche rated
- Low inductance
- High power density
- Easy to mount
- Space-savings
Области применения
Управление Питанием, Привод Двигателя и Управление
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Измерения Rds(on):
10В
Напряжение Истока-стока Vds:
600В
Непрерывный Ток Стока:
50А
Полярность Транзистора:
N Канал
Пороговое Напряжение Vgs:
5В
Рассеиваемая Мощность:
1.04Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):
0.16Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-247
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (12-Jan-2017)
RoHS статус:
Да
