IRFR110PBF (VISHAY)
МОП-транзистор, N Канал, 4.3 А, 100 В, 0.54 Ом, 10 В, 4 В
The IRFR110PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The DPAK is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation levels up to 1.5W are possible in typical surface-mount applications.
- Dynamic dV/dt rating
- Ease of paralleling
- Surface-mount
- Repetitive avalanche rated
Области применения
Промышленное, Управление Питанием
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Измерения Rds(on):
10В
Напряжение Истока-стока Vds:
100В
Непрерывный Ток Стока:
4.3А
Полярность Транзистора:
N Канал
Пороговое Напряжение Vgs:
4В
Рассеиваемая Мощность:
25Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):
0.54Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-252
SVHC (Особо Опасные Вещества):
To Be Advised
RoHS статус:
Y-Ex
