IRFR024NTRPBF (INFINEON)
МОП-транзистор, N Канал, 17 А, 55 В, 0.075 Ом, 10 В, 4 В
The IRFR024NTRPBF is a HEXFET® fifth generation N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The package is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level of 1.5W is possible in a typical surface-mount application.
- Advanced process technology
- Fully avalanche rating
- Low static drain-to-source ON-resistance
- Dynamic dV/dt rating
Области применения
Управление Питанием
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
175°C
Напряжение Измерения Rds(on):
10В
Напряжение Истока-стока Vds:
55В
Непрерывный Ток Стока:
17А
Полярность Транзистора:
N Канал
Пороговое Напряжение Vgs:
4В
Рассеиваемая Мощность:
45Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):
0.075Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-252AA
Тип упаковки:
Разрезная лента
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
