IRFD9120PBF (VISHAY)
МОП-транзистор, P Канал, 1 А, 100 В, 0.6 Ом, -10 В, -4 В
The IRFD9120PBF is a -100V P-channel Power MOSFET, third generation HEXFET® power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W.
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- 175°C Operating temperature
- Easy to parallel
- Simple drive requirement
- For automatic insertion
- End stackable
Области применения
Управление Питанием
Количество Выводов:
4вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
175°C
Напряжение Измерения Rds(on):
-10В
Напряжение Истока-стока Vds:
100В
Непрерывный Ток Стока:
1А
Полярность Транзистора:
P Канал
Пороговое Напряжение Vgs:
-4В
Рассеиваемая Мощность:
1.3Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):
0.6Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
DIP
SVHC (Особо Опасные Вещества):
To Be Advised
RoHS статус:
Да
