IPP096N03L G (INFINEON)
МОП-транзистор, N Канал, 35 А, 30 В, 0.008 Ом, 10 В, 1 В
The IPP096N03L G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET sets new standards in power density and energy efficiency. It is tailored to the needs of power management by improved EMI behaviour, as well as increased battery life. It is available in half-bridge configuration.
- Increased battery lifetime
- Improved EMI behaviour making external snubber networks obsolete
- Saving space
- Reducing power losses
- Fast switching MOSFET for SMPS
- Optimized technology for DC-to-DC converters
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Logic level
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Very low ON-resistance RDS (ON)
- Avalanche rated
- Halogen-free, Green device
Области применения
Управление Питанием, Привод Двигателя и Управление, Светодиодное Освещение, Компьютеры и Периферия, Переносные Устройства, Потребительская Электроника
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
175°C
Напряжение Измерения Rds(on):
10В
Напряжение Истока-стока Vds:
30В
Непрерывный Ток Стока:
35А
Полярность Транзистора:
N Канал
Пороговое Напряжение Vgs:
1В
Рассеиваемая Мощность:
42Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):
0.008Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-220
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
