IRG4BH20K-SPBF (INFINEON)
БТИЗ транзистор, 11 А, 3.17 В, 60 Вт, 1.2 кВ, TO-263, 3 вывод(-ов)
The IRG4BH20K-SPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor combines low conduction losses with high switching speed. It feature latest generation design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations. As a freewheeling diode recommend our HEXFRED™ ultrafast, ultra-soft recovery diodes for minimum EMI/noise and switching losses in the diode and IGBT.
- High short-circuit rating
- Latest generation 4 IGBT's offer highest power density motor controls possible
Области применения
Потребительская Электроника, Привод Двигателя и Управление, Управление Питанием
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
DC Ток Коллектора:
11А
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
IRG4 Series
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):
3.17В
Рассеиваемая Мощность:
60Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-263
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
