DSEI30-10A (IXYS SEMICONDUCTOR)

F9359346
нет данных
 
Быстрый / ультрабыстрый диод, 1 кВ, 30 А, Одиночный, 2.4 В, 35 нс, 200 А

Документация
Technical Data Sheet EN

БрендIXYS SEMICONDUCTOR НаименованиеDSEI30-10A Цена заШтука Страна производстваGermany СкладFarnell

Быстрый / ультрабыстрый диод, 1 кВ, 30 А, Одиночный, 2.4 В, 35 нс, 200 А

The DSEI30-10A is a Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) features planar passivated chip, very short recovery time, extremely low switching losses and soft recovery behaviour. Suitable for inductive heating and melting, ultrasonic cleaners and welders.
  • High reliability circuit operation
  • Low voltage peaks for reduced protection circuits
  • Low noise switching
  • Low losses
  • Operating at lower temperature or space saving by reduced cooling
  • 138W at 25°C Total power

Области применения

Управление Питанием, ОВКВ

Количество Выводов:
2 Вывода
Конфигурация Диода:
Одиночный
Линейка Продукции:
DSEI3 Series
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Максимальное Время Обратного Восстановления:
35нс
Максимальное Значение Напряжения Vrrm:
1кВ
Максимальное Прямое Напряжение:
2.4В
Максимальный Импульсный Прямой Ток Ifsm:
200А
Средний Прямой Ток:
30А
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Диода:
TO-247AD
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (12-Jan-2017)
RoHS статус:
Да
Популярные товары