QEE113 (ON SEMICONDUCTOR)
ИК излучатель, 50 °, Side Looking, 100 мА, 1.5 В, 800 нс, 800 нс
The QEE113 is a 940nm GaAs Infrared LED is suitable for QSE113 photosensor. It has 50° medium wide emission angle and grey stripe on the top side. Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be operable above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended. In addition, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability. The absolute maximum ratings are stress ratings only.
- GaAs chip material
- High output power
Области применения
Авто, Автоматизация Зданий, Медицинское, Тестирование и Измерение
Время Подъема:
800нс
Время Спада Импульса tf:
800нс
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
100°C
Максимальное Прямое Напряжение:
1.5В
Минимальная Рабочая Температура:
-40°C
Средний Прямой Ток:
100мА
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Диода:
Side Looking
Угол Обзора:
50°
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
