MB85R1001ANC-GE1 (FUJITSU)
NVRAM, FRAM, 1 Мбит, 128К x 8бит, Параллельный, 100 нс, TSOP
The MB85R1001ANC-GE1 is a 1MB Ferroelectric Random Access Memory (FRAM) chip consisting of 131072 words x 8-bit of nonvolatile memory cells fabricated using ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies. The MB85R1001A is able to retain data without using a back-up battery, as is needed for SRAM. The memory cells used in the MB85R1001A can be used for 10?? read/write operations, which is a significant improvement over the number of read and write operations supported by flash memory and E?PROM. The MB85R1001A uses a pseudo-SRAM interface that is compatible with conventional asynchronous SRAM.
- Operating power supply voltage - 3 to 3.6V
- Data retention - 10 years
- Input rising/falling time - 5ns
- Input/output evaluation level - 2/0.8V
- Output impedance - 50pF
Области применения
Компьютеры и Периферия, Промышленное
Время Доступа:
100нс
Количество Выводов:
48вывод(-ов)
Конфигурация Памяти NVRAM:
128К x 8бит
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
85°C
Максимальное Напряжение Питания:
3.6В
Минимальная Рабочая Температура:
-40°C
Минимальное Напряжение Питания:
3В
Размер Памяти:
1Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:
Будет Указано Позже
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:
TSOP
Тип Интерфейса ИС:
Параллельный
Тип Памяти:
FRAM
SVHC (Особо Опасные Вещества):
To Be Advised
RoHS статус:
Да