IRF4104SPBF (INFINEON)
МОП-транзистор, N Канал, 120 А, 40 В, 0.0055 Ом, 10 В, 4 В
The IRF4104SPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
- Advanced process technology
- Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Области применения
Управление Питанием
Предупреждения
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Количество Выводов:
3вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
175°C
Напряжение Измерения Rds(on):
10В
Напряжение Истока-стока Vds:
40В
Непрерывный Ток Стока:
120А
Полярность Транзистора:
N Канал
Пороговое Напряжение Vgs:
4В
Рассеиваемая Мощность:
140Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on):
0.0055Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
TO-263
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Y-Ex