8(812) 320-88-25 8(495) 281-51-61
Каталог товаров

S29GL128P10TFI010 (CYPRESS SEMICONDUCTOR)

F1791248
нет данных
 
Отложить Сравнить
Флеш память, NOR, Параллельная NOR, 128 Мбит, 16М x 8бит / 8М x 16бит, Параллельный, TSOP

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

БрендCYPRESS SEMICONDUCTOR НаименованиеS29GL128P10TFI010 Цена заШтука Страна производстваThailand СкладFarnell

Флеш память, NOR, Параллельная NOR, 128 Мбит, 16М x 8бит / 8М x 16бит, Параллельный, TSOP

The S29GL128P10TFI010 is a 128MB page mode Flash Memory featuring 90nm MirrorBit process technology. This device offers a fast page access time of 100ns with a corresponding random access time as fast as 90ns. It features a write buffer that allows a maximum of 32 words/64 bytes to be programmed in one operation, resulting in faster effective programming time than standard programming algorithms. This makes the device ideal for todays eMBedded applications that require higher density, better performance and lower power consumption.
  • Highest address sector protected
  • Enhanced Versatile I/O™ control
  • Secured silicon sector region
  • Can be programmed and locked at the factory or by the customer
  • 100000 Erase cycles per sector typical
  • 20 Years data retention typical
  • Suspend and resume commands for program and erase operations
  • Write operation status bits indicate program and erase operation completion
  • Unlock bypass program command - Reduces programming time
  • Support for CFI (Common Flash Interface)
  • Persistent and password methods of advanced sector protection
  • WA#/ACC input - Protects first or last sector regardless of sector protection settings
  • Hardware reset input (RESET#) resets device
  • Ready/busy# output (RY/BY#) detects program or erase cycle completion

Области применения

Компьютеры и Периферия, Промышленное, Связь и Сеть, Потребительская Электроника

Предупреждения

Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Время Доступа:
100нс
Количество Выводов:
56вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти:
16М x 8бит / 8М x 16бит
Линейка Продукции:
3V Parallel NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура:
85°C
Максимальное Напряжение Питания:
3.6В
Минимальная Рабочая Температура:
-40°C
Минимальное Напряжение Питания:
2.7В
Размер Памяти:
128Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:
Да
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:
TSOP
Тактовая Частота:
-
Тип Flash Памяти:
Параллельная NOR
Тип Интерфейса ИС:
Параллельный
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (17-Dec-2015)
RoHS статус:
Да
Популярные товары