STGE50NC60VD (STMICROELECTRONICS)
БТИЗ транзистор, 90 А, 2.5 В, 260 Вт, 600 В, ISOTOP, 4 вывод(-ов)
The STGE50NC60VD is a very fast IGBT using the latest high voltage technology based on a patented strip layout. STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBT with outstanding performances. The suffix V identifies a family optimized for high frequency. It is suitable for high frequency inverters, SMPS and PFC in both hard switching and resonant topologies.
- High current capability
- High frequency operation
- Low CRES/CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)
- Very soft ultra fast recovery anti-parallel diode
Области применения
Управление Питанием, Привод Двигателя и Управление
DC Ток Коллектора:
90А
Количество Выводов:
4вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
150°C
Напряжение Коллектор-Эмиттер:
600В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on):
2.5В
Рассеиваемая Мощность:
260Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Транзистора:
ISOTOP
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (17-Dec-2015)
RoHS статус:
Да
