IRS21867STRPBF (INFINEON)
Драйвер БТИЗ, высокой и низкой стороны, 4А, 10В до 20В, SOIC-8
The IRS21867STRPBF is a high voltage high speed power MOSFET and IGBT Driver with independent high and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technology enables ruggedized monolithic construction. Low VCC operation allows use in battery powered applications. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output and down to 3.3V logic. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive a N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 600V.
- Floating channel designed for bootstrap operation
- Tolerant to negative transient voltage, DV/DT Immune
- Low VCC operation
- Under-voltage lockout for both channels
- Matched propagation delay for both channels
- Lower DI/DT gate driver for better noise immunity
- Logic and power ground ±5V offset
Области применения
Промышленное, Управление Питанием
Задержка Выхода:
170нс
Задержка по Входу:
170нс
Количество Выводов:
8вывод(-ов)
Конфигурация Привода:
Высокая Сторона и Низкая Сторона
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
125°C
Максимальное Напряжение Питания:
20В
Минимальная Рабочая Температура:
-40°C
Минимальное Напряжение Питания:
10В
Пиковый Выходной Ток:
4А
Соответствует Фталатам RoHS:
Будет Указано Позже
Стиль Корпуса Привода:
SOIC
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
