TSHG5510 (VISHAY)
ИК излучатель, высокоскоростной, 38 °, T-1 3/4 (5mm), 100 мА, 1.45 В, 15 нс, 15 нс
The TSHG5510 is a 830nm high speed Infrared Emitting Diode in GaAlAs double hetero (DH) technology with high radiant power, high speed and moulded in a clear. This diode is suitable for high pulse current operation.
- High reliability
- High radiant intensity
- ±38° Angle of half sensitivity
- Low forward voltage
- Good spectral matching with Si photo-detectors
Области применения
Потребительская Электроника, Связь и Сеть
Время Подъема:
15нс
Время Спада Импульса tf:
15нс
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
85°C
Максимальное Прямое Напряжение:
1.45В
Минимальная Рабочая Температура:
-40°C
Средний Прямой Ток:
100мА
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Диода:
T-1 3/4 (5mm)
Угол Обзора:
38°
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (15-Jan-2018)
RoHS статус:
Да
