IS66WVE4M16EALL-70BLI (INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI))

SRAM, 64 Мбит, 4М x 16бит, 1.7В до 1.95В, TFBGA, 48 вывод(-ов), 70 нс

Время Доступа:

70нс

Диапазон Напряжения Питания:

1.7В до 1.95В

Количество Выводов:

48вывод(-ов)

Конфигурация Памяти SRAM:

4М x 16бит

Линейка Продукции:

Максимальная Рабочая Температура:

85°C

Минимальная Рабочая Температура:

-40°C

Размер Памяти:

64Мбит

Соответствует Фталатам RoHS:

Да

Стандарты Автомобильной Промышленности:

Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:

TFBGA

SVHC (Особо Опасные Вещества):

No SVHC (15-Jan-2018)

RoHS статус:

Да