IS61WV51216BLL-10TLI (INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI))

F2253837
нет данных
 
SRAM, 8 Мбит, 512К x 16бит, 2.4В до 3.6В, TSOP-II, 44 вывод(-ов), 10 нс

Документация
Technical Data Sheet EN

БрендINTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) НаименованиеIS61WV51216BLL-10TLI Цена заШтука Страна производстваTaiwan СкладFarnell

SRAM, 8 Мбит, 512К x 16бит, 2.4В до 3.6В, TSOP-II, 44 вывод(-ов), 10 нс

The IS61WV51216BLL-10TLI is a 8Mb high-speed static RAM organized as 512K words by 16 bits. It is fabricated using ISSI's high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields high-performance and low power consumption devices. When CE is HIGH (deselected), the device assumes a standby mode at which the power dissipation can be reduced down with CMOS input levels. Easy memory expansion is provided by using Chip Enable and Output Enable inputs, CE and OE. The active LOW Write Enable (WE) controls both writing and reading of the memory. A data byte allows Upper Byte (UB) and Lower Byte (LB) access.
  • High-performance, low-power CMOS process
  • Multiple centre power and ground pins for greater noise immunity
  • Easy memory expansion with CE and OE options
  • CE power-down
  • Fully static operation, no clock or refresh required
  • TTL compatible inputs and outputs
  • Data control for upper and lower bytes

Области применения

Промышленное, Авто

Время Доступа:
10нс
Диапазон Напряжения Питания:
2.4В до 3.6В
Количество Выводов:
44вывод(-ов)
Конфигурация Памяти SRAM:
512К x 16бит
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
85°C
Минимальная Рабочая Температура:
-40°C
Размер Памяти:
8Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:
Да
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:
TSOP-II
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (12-Jan-2017)
RoHS статус:
Да
Популярные товары