IS61LV6416-10TL (INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI))

F2101284
нет данных
 
ИС, SRAM, 1Мбит, 64К x 16бит, 10нс время доступа, TTL интерфейс, 3.135В до 3.6В питание, TSOP-II-44

Документация
Technical Data Sheet EN

БрендINTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) НаименованиеIS61LV6416-10TL Цена заШтука Страна производстваUnited States СкладFarnell

ИС, SRAM, 1Мбит, 64К x 16бит, 10нс время доступа, TTL интерфейс, 3.135В до 3.6В питание, TSOP-II-44

The IS61LV6416-10TL is a 64K x 16-bit high-speed CMOS Static Random Access Memory (SRAM) with 3.3V supply. It is fabricated using ISSI's high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields access times as fast as 8 ns with low power consumption. When CE is HIGH (deselected), the device assumes a standby mode at which the power dissipation can be reduced down with CMOS input levels. Easy memory expansion is provided by using chip enable and output enable inputs CE and OE. The active LOW write enable (WE) controls both writing and reading of the memory. A data byte allows upper byte (UB) and lower byte (LB) access.
  • High-speed access time - 10ns
  • CMOS low power operation
  • TTL compatible interface levels
  • Single 3.3V power supply
  • Fully static operation - no clock or refresh required
  • 3-State outputs
  • Data control for upper and lower bytes

Области применения

Компьютеры и Периферия, Промышленное, Связь и Сеть, Потребительская Электроника

Время Доступа:
10нс
Диапазон Напряжения Питания:
3.135В до 3.6В
Количество Выводов:
44вывод(-ов)
Конфигурация Памяти SRAM:
64К x 16бит
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
70°C
Минимальная Рабочая Температура:
0°C
Размер Памяти:
1Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:
Да
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:
TSOP-II
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (12-Jan-2017)
RoHS статус:
Да
Популярные товары