AS6C1008-55TIN (ALLIANCE MEMORY)

F1562899
нет данных
 
SRAM, 1 Мбит, 128К x 8бит, 2.7В до 5.5В, TSOP, 32 вывод(-ов), 55 нс

Документация
Technical Data Sheet EN

БрендALLIANCE MEMORY НаименованиеAS6C1008-55TIN Страна производстваChina СкладFarnell

SRAM, 1 Мбит, 128К x 8бит, 2.7В до 5.5В, TSOP, 32 вывод(-ов), 55 нс

The AS6C1008-55TIN is a 128k x 8-bit low power CMOS Static Random Access Memory (SRAM) organized as 131072 words by 8-bit. It is fabricated using very high performance, high reliability CMO S technology. Its standby current is stable within the range of operating temperature. The AS6C1008 is well designed for very low power system applications and particularly well suited for battery back-up non-volatile memory application The AS6C1008 operates from a single power supply of 2.7 to 5.5V.
  • Access time - 55ns
  • Low power consumption
  • Fully compatible with all competitors 3.3/5V
  • Fully static operation
  • Tri-state output
  • Data retention voltage - 1.5V

Области применения

Компьютеры и Периферия, Промышленное

Время Доступа:
55нс
Диапазон Напряжения Питания:
2.7В до 5.5В
Количество Выводов:
32вывод(-ов)
Конфигурация Памяти SRAM:
128К x 8бит
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
85°C
Минимальная Рабочая Температура:
-40°C
Размер Памяти:
1Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:
Да
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:
TSOP
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (15-Jan-2018)
RoHS статус:
Да