SST25WF010-40-5I-SAF (MICROCHIP)

F1829960
нет данных
 
Флеш память, Последовательная NOR, 1 Мбит, 128К x 8бит, 4-проводной, Последовательный, SPI, SOIC

Документация
Technical Data Sheet EN

БрендMICROCHIP НаименованиеSST25WF010-40-5I-SAF Цена заШтука Страна производстваChina СкладFarnell

Флеш память, Последовательная NOR, 1 Мбит, 128К x 8бит, 4-проводной, Последовательный, SPI, SOIC

The SST25WF010-40-5I-SAF is a 1MB serial Flash Memory features a 4-wire, SPI-compatible interface that allows for a low pin-count package which occupies less board space. The SPI serial flash memory is manufactured with SST proprietary, high-performance CMOS SuperFlash technology. The split-gate cell design and thick-oxide tunneling injector attain better reliability and manufacturability compared with alternate approaches. The device significantly improves performance and reliability, while lowering power consumption. The device writes with a single power supply of 1.65 to 1.95V. The total energy consumed is a function of the applied voltage, current and time of application. Since for any given voltage range, the SuperFlash technology uses less current to program and has a shorter erase time, the total energy consumed during any erase or program operation is less than alternative flash memory technologies.
  • Serial interface architecture - SPI compatible - mode 0/3
  • High speed clock frequency - up to 40MHz
  • Superior reliability
  • Endurance - 100000 cycles
  • Greater than 100 years data retention
  • Ultralow power consumption
  • Flexible erase capability
  • Fast erase and byte-program
  • Auto address increment (AAI) programming
  • Decrease total chip programming time over byte-program operations
  • End-of-write protection
  • Software polling the BUSY bit in status register
  • Busy status readout on SO pin
  • Hardware reset pin as default
  • Hold pin option to suspend a serial sequence without deselecting the device
  • Write protection - Enables/disables the lock-down function of the status register
  • Software write protection - write protection through block-protection bits in status register

Области применения

Компьютеры и Периферия, Промышленное, Связь и Сеть, Потребительская Электроника

Время Доступа:
-
Количество Выводов:
8вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти:
128К x 8бит
Линейка Продукции:
3V Serial NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура:
85°C
Максимальное Напряжение Питания:
1.95В
Минимальная Рабочая Температура:
-40°C
Минимальное Напряжение Питания:
1.65В
Размер Памяти:
1Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:
Да
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:
SOIC
Тактовая Частота:
40МГц
Тип Flash Памяти:
Последовательная NOR
Тип Интерфейса ИС:
4-проводной, Последовательный, SPI
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (15-Jan-2018)
RoHS статус:
Да