SST25VF010A-33-4I-SAE (MICROCHIP)

F1368686
нет данных
 
Флеш память, Последовательная NOR, 1 Мбит, 128К x 8бит, Последовательный SPI, SOIC, 8 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN
CAD CadSoft_EAGLE EN

БрендMICROCHIP НаименованиеSST25VF010A-33-4I-SAE Цена заШтука Страна производстваJapan СкладFarnell

Флеш память, Последовательная NOR, 1 Мбит, 128К x 8бит, Последовательный SPI, SOIC, 8 вывод(-ов)

The SST25VF010A-33-4I-SAE is a 1Mbit SPI Serial Flash family features a four-wire, SPI-compatible interface that allows for a low pin-count package occupying less board space and ultimately lowering total system costs. The SPI serial flash memory is manufactured with SST proprietary, high performance CMOS SuperFlash technology. The split-gate cell design and thick-oxide tunnelling injector attain better reliability and manufacturability compared with alternate approaches. This device significantly improves performance, while lowering power consumption. The total energy consumed is a function of the applied voltage, current and time of application. Since for any given voltage range, the SuperFlash technology uses less current to program and has a shorter erase time, the total energy consumed during any Erase or Program operation is less than alternative flash memory technologies. This device operates with a single 2.7 to 3.6V power supply.
  • Serial interface architecture
  • Superior reliability
  • Low power consumption
  • Flexible erase capability
  • Fast erase and byte-program
  • Auto address increment (AAI) program
  • End-of-write detection
  • Suspends a serial sequence to memory without deselecting device
  • Enables/disables lock-down function of status register
  • 100 Years data retention

Области применения

Промышленное

Время Доступа:
12нс
Количество Выводов:
8вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти:
128К x 8бит
Линейка Продукции:
3V Serial NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура:
85°C
Максимальное Напряжение Питания:
3.6В
Минимальная Рабочая Температура:
-40°C
Минимальное Напряжение Питания:
2.7В
Размер Памяти:
1Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:
Да
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:
SOIC
Тактовая Частота:
33МГц
Тип Flash Памяти:
Последовательная NOR
Тип Интерфейса ИС:
Последовательный SPI
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да