SST25VF010A-33-4C-SAE (MICROCHIP)

F1829949
нет данных
 
Флеш память, Последовательная NOR, 1 Мбит, 128К x 8бит, Последовательный, SPI, SOIC, 8 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN
CAD CadSoft_EAGLE EN
Product Change Notice EN

БрендMICROCHIP НаименованиеSST25VF010A-33-4C-SAE Цена заШтука Страна производстваTaiwan СкладFarnell

Флеш память, Последовательная NOR, 1 Мбит, 128К x 8бит, Последовательный, SPI, SOIC, 8 вывод(-ов)

The SST25VF010A-33-4C-SAE is a SPI Serial Flash Memory with SST proprietary, high performance CMOS SuperFlash technology. The split-gate cell design and thick-oxide tunnelling injector attain better reliability and manufacturability compared with alternate approaches. The SST25VF010A device significantly improves performance, while lowering power consumption. The total energy consumed is a function of the applied voltage, current and time of application. Since for any given voltage range, the SuperFlash technology uses less current to program and has a shorter erase time, the total energy consumed during any Erase or Program operation is less than alternative flash memory technologies. The SST25VF010A device operates with a single 2.7 to 3.6V power supply.
  • Serial interface architecture - SPI compatible of mode 0 and mode 3
  • Low power consumption - Active read current of 7mA (typical), standby current of 8µA (typical)
  • Flexible erase capability - Uniform 4kB sectors and uniform 32kB overlay blocks
  • Fast erase and byte-program
  • Auto Address Increment (AAI) programming
  • Superior reliability
  • Flexible erase capability
  • End-of-write detection - Software status
  • Hold pin (HOLD#) - Suspends a serial sequence to the memory without deselecting the device
  • Write protection (WP#) - Enables/disables the lock-down function of the status register
  • Software write protection - Write protection through Block-Protection bits in status register

Области применения

Промышленное

Время Доступа:
12нс
Количество Выводов:
8вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти:
128К x 8бит
Линейка Продукции:
3V Serial NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура:
70°C
Максимальное Напряжение Питания:
3.6В
Минимальная Рабочая Температура:
0°C
Минимальное Напряжение Питания:
2.7В
Размер Памяти:
1Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:
Да
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:
SOIC
Тактовая Частота:
33МГц
Тип Flash Памяти:
Последовательная NOR
Тип Интерфейса ИС:
Последовательный, SPI
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да
Популярные товары