S29JL032J70TFI320 (CYPRESS SEMICONDUCTOR)
Флеш память, Параллельная NOR, 32 Мбит, 2М x 16бит / 4М x 8бит, CFI, TSOP, 48 вывод(-ов)
S29JL032J70TFI320 является Flash памятью 32МБ с возможностью одновременного считывания/записи, которая организована из 2097152 слов по 16 бит или 4194304 байт по 8 бит. Данные режима слов появляется на DQ15-DQ0, данные режима байт появляются на DQ7-DQ0. Устройство предназначено для внутрисистемного программирования со стандартным источником питания 3В VCC и может быть запрограммировано стандартными программаторами EPROM. Устройство доступно со временем доступа 70нс. Стандартные выводы управления - CE#, WE# и OE# - управляют нормальными операциями считывания и записи и избегают проблем с конфликтом в шинах. Для функций считывания и записи этому устройству необходим только один источник питания 3В. Для процессов программирования и стирания предусмотрены внутренние и стабилизированные напряжения.
- Устройство нижней загрузки, 2 блока - 8/24МБ
- Данные могут непрерывно считываться из одного блока в процессе выполнения функций стирания/записи в другом блоке
- Нулевая задержка между операциями считывания и записи
- Архитектура с несколькими блоками
- Изготовлено с помощью процесса 0.11мкм
- Работа при нулевой мощности
- Совместимость с JEDEC стандартами
- Программная и контактная совместимость со стандартным Flash источником питания
- Срок службы 1000000 циклов на сектор
- Типичное значение удержания данных 20 лет
- Поддержка общего интерфейса Flash памяти
- Остановка/продолжение процесса стирания
- Опрос данных и биты переключения
- Обеспечивает программный метод определения состояния программ или операций стирания
- Команда Unlock bypass снижает общее время программирования
- Ready / busy # output - аппаратный метод для обнаружения завершения циклов записи или удаления
- Вывод аппаратного сброса - аппаратный метод сброса внутреннего состояния в режим считывания
- Входной вывод WP#/ACC - функция для ускорения программирования
- Функция защиты от записи осуществляет защиту двух внешних секторов загрузки независимо от состояния защиты сектора
- Аппаратный метод для предотвращения операций записи или стирания в секторе
Области применения
Компьютеры и Периферия, Промышленное, Связь и Сеть, Потребительская Электроника
Время Доступа:
70нс
Количество Выводов:
48вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти:
2М x 16бит / 4М x 8бит
Линейка Продукции:
3V Parallel NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура:
85°C
Максимальное Напряжение Питания:
3.6В
Минимальная Рабочая Температура:
-40°C
Минимальное Напряжение Питания:
2.7В
Размер Памяти:
32Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:
Да
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:
TSOP
Тактовая Частота:
-
Тип Flash Памяти:
Параллельная NOR
Тип Интерфейса ИС:
CFI
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (17-Dec-2015)
RoHS статус:
Да
