S29GL128P90FFIR20 (CYPRESS SEMICONDUCTOR)

F2646442
нет данных
 
Флеш память, Параллельная NOR, 128 Мбит, 16М x 8бит, Параллельный, BGA, 64 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

БрендCYPRESS SEMICONDUCTOR НаименованиеS29GL128P90FFIR20 Цена заШтука Страна производстваUnited States СкладFarnell

Флеш память, Параллельная NOR, 128 Мбит, 16М x 8бит, Параллельный, BGA, 64 вывод(-ов)

The S29GL128P90FFIR20 is a 128Mbit 3V, page flash with 90nm MirrorBit process technology in fortified 64 pin BGA package. This device offers a fast page access time of 25ns with a corresponding random access time as fast as 90ns at regulated VCC. It features a write buffer that allows a maximum of 32 words/64 bytes to be programmed in one operation, resulting in faster effective programming time than standard programming algorithms. It makes device ideal for today's embedded applications that require higher density, better performance and lower power consumption. It has an uniform 64Kword/128Kbyte sector architecture with one hundred twenty-eight sectors, hardware reset input (RESET#) resets device and ready/busy# output (RY/BY#) detects program or erase cycle completion.
  • VIO = VCC = 3V to 3.6V, lowest address sector protected
  • 8-word/16-byte page read buffer
  • 100000 erase cycles per sector typical and 20year data retention typical
  • Write operation status bits indicate program and erase operation completion
  • Unlock bypass program command to reduce programming time
  • Support for CFI (Common Flash Interface)
  • Persistent and password methods of advanced sector protection
  • Suspend and resume commands for program and erase operations
  • Industrial temperature range from -40°C to +85°C
  • WP#/ACC input, protects first or last sector regardless of sector protection settings

Области применения

Встроенные Конструкции и Разработка

Время Доступа:
90нс
Количество Выводов:
64вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти:
16М x 8бит
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
85°C
Максимальное Напряжение Питания:
3.6В
Минимальная Рабочая Температура:
-40°C
Минимальное Напряжение Питания:
Размер Памяти:
128Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:
Да
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:
BGA
Тактовая Частота:
-
Тип Flash Памяти:
Параллельная NOR
Тип Интерфейса ИС:
Параллельный
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (17-Dec-2015)
RoHS статус:
Да