S29AL008J70TFI010 (CYPRESS SEMICONDUCTOR)

F1791328
нет данных
 
Флеш память, Параллельная NOR, 8 Мбит, 1М x 8бит / 512К x 16бит, CFI, TSOP, 48 вывод(-ов)

Документация
Technical Data Sheet EN

БрендCYPRESS SEMICONDUCTOR НаименованиеS29AL008J70TFI010 Цена заШтука Страна производстваThailand СкладFarnell

Флеш память, Параллельная NOR, 8 Мбит, 1М x 8бит / 512К x 16бит, CFI, TSOP, 48 вывод(-ов)

S29AL008J70TFI010 является КМОП Flash памятью 8МБ, которая состоит из 1048576 байт или 524288 слов. На DQ15 - DQ0 выводятся данные шириной в слово, а на DQ7 - DQ0 выводятся данные шириной в байт. Это устройство предназначено для внутрисистемного программирования со стандартным источником питания 3VCC. Устройство также может быть запрограммировано с помощью стандартных программаторов EPROM. Данная память обеспечивает время доступа до 70нс, что позволяет высокоскоростным микропроцессорам работать без состояний ожидания. Для устранения конфликтов шины, устройство обладает отдельными выводами активаций (CE#), (WE#) и (OE#). Для функций считывания и записи этому устройству необходим только один источник питания 3В. Для процессов программирования и стирания предусмотрены внутренние и стабилизированные напряжения. S29AL008J полностью командно-совместима со стандартом JEDEC. Команды записываются в регистр команд, используя стандартную синхронизацию записи микропроцессора.
  • Устройство с верхним загрузочным сектором
  • Изготовлен по технологии 110нм - полностью совместим с 200нм S29AL008D
  • Безопасная кремниевая зона сектора
  • Гибкая архитектура сектора
  • Аппаратный метод блокировки сектора для предотвращения любых операций программирования или удаления в этом секторе
  • Сокращает общее время программирования, выдавая несколько последовательностей команд программы
  • Совместимость по выводам и ПО с Flash устройствами с однополярным питанием
  • Превосходная защита от непреднамеренной записи
  • Высокая производительность
  • Очень низкий уровень энергопотребления
  • Срок службы 1000000 циклов на сектор
  • Типичное значение удержания данных 20 лет
  • Остановка/продолжение процесса стирания
  • Опрос данных и биты переключения
  • Предоставляет аппаратный метод обнаружения завершения циклов программирования или стирания
  • Аппаратный метод для сброса устройства

Области применения

Компьютеры и Периферия, Промышленное, Связь и Сеть, Потребительская Электроника

Время Доступа:
70нс
Количество Выводов:
48вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти:
1М x 8бит / 512К x 16бит
Линейка Продукции:
3V Parallel NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура:
85°C
Максимальное Напряжение Питания:
3.6В
Минимальная Рабочая Температура:
-40°C
Минимальное Напряжение Питания:
2.7В
Размер Памяти:
8Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:
Да
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:
TSOP
Тактовая Частота:
-
Тип Flash Памяти:
Параллельная NOR
Тип Интерфейса ИС:
CFI
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (17-Dec-2015)
RoHS статус:
Да
Популярные товары