CY14B108N-ZSP25XI (CYPRESS SEMICONDUCTOR)

F2772935
нет данных
 
Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 8Мбит, 512K x 16бит, параллельный интерфейс, 2.7В до 3.6В

Документация
Technical Data Sheet EN
Product Change Notice EN

БрендCYPRESS SEMICONDUCTOR НаименованиеCY14B108N-ZSP25XI Цена заШтука Страна производстваTaiwan СкладFarnell

Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 8Мбит, 512K x 16бит, параллельный интерфейс, 2.7В до 3.6В

Количество Выводов:
54вывод(-ов)
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
85°C
Максимальное Напряжение Питания:
3.6В
Минимальная Рабочая Температура:
-40°C
Минимальное Напряжение Питания:
2.7В
Организация Памяти:
512К x 16бит
Размер Памяти:
8Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:
Да
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:
TSOP-II
Тип Интерфейса ИС:
Параллельный
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (12-Jan-2017)
RoHS статус:
Да