MB85RS128APNF-G-JNE1 (FUJITSU)

F2070260
нет данных
 
NVRAM, FRAM, 128 Кбит, 16К x 8бит, SPI, SOIC

Документация
Technical Data Sheet EN

БрендFUJITSU НаименованиеMB85RS128APNF-G-JNE1 Цена заШтука Страна производстваChina СкладFarnell

NVRAM, FRAM, 128 Кбит, 16К x 8бит, SPI, SOIC

The MB85RS128APNF-G-JNE1 is a 128kB SPI Ferroelectric Random Access Memory (FRAM) chip in a configuration of 16384 words x 8-bit, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. The MB85RS128A is able to retain data without using a back-up battery, as is needed for SRAM. The memory cells used in the MB85RS128A can be used for 10?? read/write operations, which is a significant improvement over the number of read and write operations supported by flash memory and E?PROM. MB85RS128A does not take long time to write data unlike Flash memories nor E?PROM and MB85RS128A takes no wait time.
  • Data retention - 10 years
  • Operating frequency - 25MHz maximum
  • Operating power supply voltage - 3 to 3.6V
  • Low power consumption

Области применения

Компьютеры и Периферия, Промышленное

Время Доступа:
-
Количество Выводов:
8вывод(-ов)
Конфигурация Памяти NVRAM:
16К x 8бит
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
85°C
Максимальное Напряжение Питания:
3.6В
Минимальная Рабочая Температура:
-40°C
Минимальное Напряжение Питания:
Размер Памяти:
128Кбит
Соответствует Фталатам RoHS:
Будет Указано Позже
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:
SOIC
Тип Интерфейса ИС:
SPI
Тип Памяти:
FRAM
SVHC (Особо Опасные Вещества):
To Be Advised
RoHS статус:
Да