MB85R4002ANC-GE1 (FUJITSU)

F2429033
нет данных
 
NVRAM, FRAM, 4 Мбит, 256К x 16бит, Параллельный, 120 нс, TSOP

Документация
Technical Data Sheet EN

БрендFUJITSU НаименованиеMB85R4002ANC-GE1 Цена заШтука Страна производстваJapan СкладFarnell

NVRAM, FRAM, 4 Мбит, 256К x 16бит, Параллельный, 120 нс, TSOP

The MB85R4002ANC-GE1 is a 4MB Ferroelectric Random Access Memory (FRAM) chip consisting of 262144 words x 16-bit of nonvolatile memory cells fabricated using ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies. The MB85R4002A is able to retain data without using a back-up battery, as is needed for SRAM. The memory cells used in the MB85R4002A can be used for 10?? read/write operations, which is a significant improvement over the number of read and write operations supported by flash memory and E?PROM. The MB85R4002A uses a pseudo-SRAM interface that is compatible with conventional asynchronous SRAM.
  • Data retention - 10 years
  • Operating power supply voltage - 3 to 3.6V
  • Low power consumption

Области применения

Компьютеры и Периферия, Промышленное

Время Доступа:
120нс
Количество Выводов:
48вывод(-ов)
Конфигурация Памяти NVRAM:
256К x 16бит
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
85°C
Максимальное Напряжение Питания:
3.6В
Минимальная Рабочая Температура:
-40°C
Минимальное Напряжение Питания:
Размер Памяти:
4Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:
Будет Указано Позже
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:
TSOP
Тип Интерфейса ИС:
Параллельный
Тип Памяти:
FRAM
SVHC (Особо Опасные Вещества):
To Be Advised
RoHS статус:
Да
Популярные товары