DS1265W-100IND+ (MAXIM INTEGRATED PRODUCTS)
NVRAM, SRAM, 8 Мбит, 1М x 8 бит, 100 нс, EDIP
The DS1265W-100IND+ is a 3.3V 8Mb non-volatile SRAM in 36 pin EDIP package. This device is organized as 1,048,576 words by 8-bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry that constantly monitors VCC for an out of tolerance condition. When such a condition occurs, the lithium energy source is automatically switched on and the write protection is unconditionally enabled to prevent data corruption.
- Supply voltage range is 3V to 3.6V
- 10 years minimum data retention in the absence of external power
- Data is automatically protected during power loss
- Unlimited write cycles, low power consumption
- Read and write access times of 100ns
- No additional support circuitry is required for microprocessor interfacing
- Operating temperature range from -40°C to 85°C
Области применения
Встроенные Конструкции и Разработка
Время Доступа:
100нс
Количество Выводов:
36вывод(-ов)
Конфигурация Памяти NVRAM:
1М x 8 бит
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
85°C
Максимальное Напряжение Питания:
3.6В
Минимальная Рабочая Температура:
-40°C
Минимальное Напряжение Питания:
3В
Размер Памяти:
8Мбит
Соответствует Фталатам RoHS:
Будет Указано Позже
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти:
EDIP
Тип Интерфейса ИС:
-
Тип Памяти:
SRAM
SVHC (Особо Опасные Вещества):
1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ethe
RoHS статус:
Да
