NCP5111DR2G (ON SEMICONDUCTOR)

F1547138
нет данных
 
Двойной драйвер, полумостовой, питание 10В-20В, 500мА, задержка 100нс, SOIC-8

Документация
Technical Data Sheet EN
  Simulation Model EN
Product Change Notice EN

БрендON SEMICONDUCTOR НаименованиеNCP5111DR2G Цена заШтука (Поставляется на разрезной ленте) Страна производстваUnited States СкладFarnell

Двойной драйвер, полумостовой, питание 10В-20В, 500мА, задержка 100нс, SOIC-8

The NCP5111DR2G is a high voltage Power Gate Driver providing two outputs for direct drive of 2 N-channel power MOSFETs or IGBTs arranged in a half-bridge configuration. It uses the bootstrap technique to ensure a proper drive of the high-side power switch.
  • High and low drive outputs
  • Up to VCC swing on input pins
  • Extended allowable negative bridge pin voltage swing to -10V for signal propagation
  • Matched propagation delays between both channels
  • 1 input with internal fixed dead time (650ns)
  • Under VCC lockout (UVLO) for both channels
  • Pin-to-Pin-compatible with industry standards
  • Up to 600V high voltage range
  • ±50V/ns dV/dt Immunity
  • 250/500mA Output source/sink current capability
  • 3.3 and 5V Input logic compatible

Области применения

Обработка Сигнала

Предупреждения

Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Задержка Выхода:
100нс
Задержка по Входу:
750нс
Количество Выводов:
8вывод(-ов)
Конфигурация Привода:
Полумост
Линейка Продукции:
-
Максимальная Рабочая Температура:
125°C
Максимальное Напряжение Питания:
20В
Минимальная Рабочая Температура:
-40°C
Минимальное Напряжение Питания:
10В
Пиковый Выходной Ток:
500мА
Соответствует Фталатам RoHS:
Да
Стандарты Автомобильной Промышленности:
-
Стиль Корпуса Привода:
SOIC
Тип упаковки:
Разрезная лента
SVHC (Особо Опасные Вещества):
No SVHC (27-Jun-2018)
RoHS статус:
Да